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                    發(fā)表人:sensor123 發(fā)表時(shí)間:2023/11/27 15:28:00  

                     

                     本欄論題: 極限電流型氧化鋯氧氣傳感器在擴散爐氧化工藝中的應用  [1605]

                        
                        擴散爐主要用于半導體材料的生產(chǎn),其工作原理是基于擴散過(guò)程的物理和化學(xué)原理。擴散過(guò)程即是一種集體輸運過(guò)程,即物質(zhì)在氣相或液相中從高濃度區域向低濃度區域的自發(fā)移動(dòng)。在擴散爐中,先將摻雜物加工成粉末或固體塊,然后將其放置在爐底的托盤(pán)上。將晶體硅桿或片放置在爐中,并將爐門(mén)關(guān)閉,啟動(dòng)爐子升溫至目標摻雜溫度。當爐溫達到所需溫度時(shí),表面凈化劑(如氬氣)會(huì )通過(guò)爐子輸送管道進(jìn)入爐內,以保持爐內氧化性質(zhì)的穩定。接著(zhù),摻雜物會(huì )被加熱并釋放出摻雜原子,這些原子會(huì )很快擴散到近鄰的半導體晶體中。因而形成摻雜濃度梯度,遵循所有輸運過(guò)程的擴散規律。摻雜結束后,爐子冷卻至室溫,晶體硅桿或片從爐中取出并經(jīng)過(guò)切片,加工制作成各種半導體器件。
                       
                        需要注意的是在高溫氧化擴散爐體內硅片與外部供給的高純氧氣反應,使硅片上生成一層氧化層。這層氧化層的質(zhì)量、穩定性和介質(zhì)特性等性能對MOS工藝中的柵結構至關(guān)重要。溫度是影響氧化層特性的關(guān)鍵工藝參數,影響氧化層生長(cháng)速度、均勻性等特性。氧化工藝要求硅片上各個(gè)區間與各個(gè)硅片都處于一致均勻、穩定的溫度場(chǎng)中,對爐膛恒溫區間的溫度一致性、穩定性要求極高;并且為了使各個(gè)硅片特性一致,在不同工藝溫度之間的變化過(guò)程中,要求所有硅片所處溫度盡量一致變化。氧化工藝是使硅片表面在高溫下與氧化劑發(fā)生反應,生長(cháng)一層二氧化硅膜。氧化方法有干氧和濕氧,濕氧包括水汽氧化和氫氧合成兩種。
                       
                        為監測氧化方法有干氧和濕氧變化工采網(wǎng)推薦推薦的極限電流型氧化鋯氧氣傳感器- SO-E2-250因為在氧化鋯電解質(zhì)中電流的載體是氧離子,所以當電壓施加到氧化鋯電解槽時(shí),氧氣通過(guò)氧化鋯盤(pán)被抽到陽(yáng)極。如果給電解槽陰極加上一個(gè)帶孔的蓋子,氧氣流向陰極的速率就會(huì )受到限制。受到這個(gè)速率的限制,隨著(zhù)所施加的電壓逐漸增加,電解槽內的電流會(huì )達到飽和。這個(gè)飽和電流被稱(chēng)為極限電流,它與周邊環(huán)境中的氧氣濃度成正比。

                    以下是關(guān)于《極限電流型氧化鋯氧氣傳感器在擴散爐氧化工藝中的應用》論題的回復(共1篇)

                    回復人:佟大野 

                     回復時(shí)間:2024/1/23 17:19:00

                    支持(77) | 反對(76)

                     

                        6666

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